Характеристики
ID товара
—
826947
Тип корпуса
—
E3
IC @ TC=100℃(A)
—
225
VCES _Min(V)
—
1200
VCE(sat) _Typ(V)
—
1.9
Eon+Eoff typ. Tj=150℃(mJ)
—
48.5
Rth(j-c) _Max((℃/W)
—
0.12
В корзину
IGBT модули – силовые полупроводниковые модули, состоящие из одного, двух и более IGBT транзисторов.
Компоненты широко распространены в преобразовательной, сварочной технике, а также устройствах заряда.
Компоненты широко распространены в преобразовательной, сварочной технике, а также устройствах заряда.
Документация
MG225HF12TLE3
1,1 мб
Если Вам необходимо подобрать аналоги электронных компонентов заполните форму обратной связи или напишите нам письмо на адрес info@mt-system.ru. Мы свяжемся с Вами и предоставим все варианты замены.
Мы поможем вам сориентироваться в китайской элементной базе. Предложим доступные по срокам и цене аналоги – от конденсатора, до микроконтроллера.

