Главная / Новости компании МТ-Системс

Новости "IXYS"

На склад поступили компактные трёхфазные IGBT-модули IXYS из линейки CBI

13.12.2010 | IXYS

Корпорация IXYS продолжает расширять линейку MIXA - модулей, содержащих транзисторы, выполненные по самой современной технологии XPT. Транзисторы, изготовленные по данной технологии, отличаются низким падением напряжения в открытом состоянии и увеличенной плотностью тока.

IXYS представляет GigaMOS TrenchT2™ - мощные MOSFET в низкопрофильных DE и SMPD-корпусах

25.10.2010 | IXYS

Корпорация IXYS объявляет о выпуске мощных MOSFET-ключей IXTZ550N055T2, <

Официальное уведомление компании IXYS

04.10.2010 | IXYS

Компания IXYS объявляет о снятии с производства ряда позиций в линейке 1200В NPT3 IGBT

IXYS Colorado объявляет о выпуске нового радиочастотного коммутационного модуля

30.09.2010 | IXYS

Корпорация IXYS, лидер в области силовых полупроводниковых приборов для мощной преобразовательной техники и систем управления электроприводом, объявляет об обновлении в линейке радиочастотных силовых модулей, содержащих драйвер и MOSFET-ключ в едином корпусе.  

IXYS выпускает ISOPLUS i4™ решение: MOSFET-транзистор и SiC-диод в едином изолированном корпусе

26.08.2010 | IXYS

Корпорация IXYS объявляет об успешной интеграции технологии на основе карбида кремния (SiC) и новейшей технологии «Super Junction» MOSFET в едином удобном для пользователя устройстве, обладающем повышенной предельной плотностью мощности и повышенной эффективностью в таких приложениях как источники питания с быстрой коммутацией и инвертеры солнечных батарей.

Новое семейство 9-амперных драйверов затвора от Clare

19.08.2010 | IXYS

Корпорация IXYS совместно с дочерней компанией Clare Inc.

Новое семейство 4-амперных 2-канальных драйверов затвора от Clare

06.08.2010 | IXYS

Входящая в IXYS компания Clare Inc. приступила к производству семейства микросхем 4-амперных двухканальных низковольтных драйверов затвора. IXD_604, первая микросхема из серии мощных низковольтных драйверов затвора, предлагаемых Clare, особенно хорошо подходит для управления силовыми IGBT и MOSFET-транзисторами IXYS.

Новое семейство силовых транзисторов от IXYS: PolarP2™ Power MOSFET

06.08.2010 | IXYS

Корпорация IXYS объявила о выпуске PolarP2™ Power MOSFET - нового семейства силовых транзисторов последнего поколения, расширяющих линейку быстрых и надежных силовых MOSFET, производимых IXYS.

Новое семейство силовых транзисторов от IXYS: PolarP2™ Power MOSFET

06.08.2010 | IXYS

Корпорация IXYS объявила о выпуске PolarP2™ Power MOSFET - нового семейства силовых транзисторов последнего поколения, расширяющих линейку быстрых и надежных силовых MOSFET, производимых IXYS.