Новости "IXYS"

Компания IXYS стала частью компании Littelfuse

12.02.2018 | IXYS

Компания IXYS стала частью компании Littelfuse   Уважаемые партнеры, доводим до вашего сведения, что IXYS Corporation вошла в состав Littelfuse.

IXYS UK Westcode анонсирует выпуск новых 4,5кВ быстровосстанавливающихся диодов

21.12.2017 | IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd представляет новые высоковольтные (4,5кВ) быстровосстанавливающиеся диоды на рабочие токи от 1,8кА до 3кА.

Новое нормально-закрытое твердотельное реле с MOSFET-выходом на напряжение 60В и ток 3,25А, от компании IXYS

20.12.2017 | IXYS

Компания IXYS ICD анонсировала запуск серийного производства твердотельных реле CPC1705Y с MOSFET-выходом на напряжение 60В и ток 3,25А. Прибор выполнен в корпусе «Power SIP» и представляет собой нормально-закрытое реле (1-Form-B), с сопротивлением канала в открытом состоянии  всего 0,09 Ом. CPC1705Y хорошо подходит для автоматизации техпроцессов промышленного оборудования, где электромагнитные помехи могут негативно влиять на работу систем управления и связи.

IXYS представляет новую серию MOSFET-транзисторов Ultra-Junction X3-Class на 200В. Быстрые внутренние диоды и низкое сопротивление канала.

13.12.2017 | IXYS

     Корпорация IXYS объявила о выпуске новой серии силовых транзисторов 200V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs. 

E0460QC45E - новый 4,5кВ быстрый диод IXYS UK Westcode

11.10.2017 | IXYS

IXYS UK Westcode Ltd объявила о расширении линейки быстродействующих диодов с высокой устойчивостью к di/dt, низкими потерями на переключение и плавной характеристикой восстановления для снабберных приложений.

IXRFSM12N100 и IXRFSM18N50 - новые высокочастотные Mosfet-транзисторы серии SMPD в корпусах с низким профилем, от компании IXYS Colorado.

26.09.2017 | IXYS

    Компания IXYS Colorado объявила о доступности новых сверхбыстрых MOSFET-транзисторов в низкоиндуктивном компактном корпусе. Семейство изолированных корпусов серии SMPD (Surface Mount Power Device) позволяет применять эти силовые MOSFET на платах с поверхностным монтажом. Это увеличивает скорость сборки за счет автоматической пайки, а также уменьшает размеры изделия. Первыми серийно доступными транзисторами являются IXRFSM12N100 (1000V, 12A) и IXRFSM18N50 (500V, 19 A).

R3115TJ28J - быстрый тиристор на напряжение 2800В и ток 3115А с увеличенной удельной мощностью, от компании IXYS UK

25.09.2017 | IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd выпустила быстрый тиристор R3115TJ28J с увеличенной удельной мощностью. Прибор рассчитан на блокирующее напряжение до 2800В. При температуре в установившемся режиме 55°C, тиристор может использоваться на частотах до 5 кГц, при условии, что скорость изменения тока будет не более 1000A в микросекунду. Такая частота не могла быть достигнута ранее на тиристорах этого класса с номинальным током более 3кА.

IXRFD615 - сверхбыстрый драйвер нижнего ключа для управления затвором MOSFET-транзисторов, с выходным током до 15 А, от компании IXYS.

28.08.2017 | IXYS

      Компания IXYS Colorado объявила о доступности новых сверхбыстрых драйверов нижнего ключа IXRFD615, способных управлять током затвора до 15А. Драйвер специально разработан для управления Mosfet-транзисторами в HF и RF приложениях D и E класса.  Также, он может применяться в других устройствах, требующих сверхбыстрого нарастания и спада фронтов импульса или импульсов минимальной длительности.

IXYS представляет новую серию Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs на 250 В

01.08.2017 | IXYS

Корпорация IXYS объявила о выпуске новой серии силовых транзисторов 250V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs.  Особенности:

R5370EA22 - новый быстрый тиристор на напряжение 2200В и ток 5370А, от компании IXYS UK

26.06.2017 | IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd выпустила быстрый тиристор R5370EA22, с увеличенной удельной мощностью. Новая, оптимизированная конструкция позволила увеличить плотность мощности на 35%, по сравнению со стандартными решениями в корпусах типа Press-Pack, 124х26 мм. Это позволяет отдавать ток до 5370А, при температуре корпуса 55°С, а в импульсе более 75кA.