Новости "IXYS"

IXRFSM12N100 и IXRFSM18N50 - новые высокочастотные Mosfet-транзисторы серии SMPD в корпусах с низким профилем, от компании IXYS Colorado.

26.09.2017 | IXYS

    Компания IXYS Colorado объявила о доступности новых сверхбыстрых MOSFET-транзисторов в низкоиндуктивном компактном корпусе. Семейство изолированных корпусов серии SMPD (Surface Mount Power Device) позволяет применять эти силовые MOSFET на платах с поверхностным монтажом. Это увеличивает скорость сборки за счет автоматической пайки, а также уменьшает размеры изделия. Первыми серийно доступными транзисторами являются IXRFSM12N100 (1000V, 12A) и IXRFSM18N50 (500V, 19 A).

R3115TJ28J - быстрый тиристор на напряжение 2800В и ток 3115А с увеличенной удельной мощностью, от компании IXYS UK

25.09.2017 | IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd выпустила быстрый тиристор R3115TJ28J с увеличенной удельной мощностью. Прибор рассчитан на блокирующее напряжение до 2800В. При температуре в установившемся режиме 55°C, тиристор может использоваться на частотах до 5 кГц, при условии, что скорость изменения тока будет не более 1000A в микросекунду. Такая частота не могла быть достигнута ранее на тиристорах этого класса с номинальным током более 3кА.

IXRFD615 - сверхбыстрый драйвер нижнего ключа для управления затвором MOSFET-транзисторов, с выходным током до 15 А, от компании IXYS.

28.08.2017 | IXYS

      Компания IXYS Colorado объявила о доступности новых сверхбыстрых драйверов нижнего ключа IXRFD615, способных управлять током затвора до 15А. Драйвер специально разработан для управления Mosfet-транзисторами в HF и RF приложениях D и E класса.  Также, он может применяться в других устройствах, требующих сверхбыстрого нарастания и спада фронтов импульса или импульсов минимальной длительности.

IXYS представляет новую серию Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs на 250 В

01.08.2017 | IXYS

Корпорация IXYS объявила о выпуске новой серии силовых транзисторов 250V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs.  Особенности:

R5370EA22 - новый быстрый тиристор на напряжение 2200В и ток 5370А, от компании IXYS UK

26.06.2017 | IXYS

Компания IXYS UK Westcode Ltd выпустила быстрый тиристор R5370EA22, с увеличенной удельной мощностью. Новая, оптимизированная конструкция позволила увеличить плотность мощности на 35%, по сравнению со стандартными решениями в корпусах типа Press-Pack, 124х26 мм. Это позволяет отдавать ток до 5370А, при температуре корпуса 55°С, а в импульсе более 75кA.

IX4340 - новый двухканальный драйвер нижнего ключа для управления током затвора до 5А, от компании IXYS ICD.

26.06.2017 | IXYS

     Компания IXYS ICD объявила о доступности новых двухканальных драйверов нижнего ключа IX4340, способных управлять током затвора до 5А. Два независимых канала в корпусе SOIC-8, позволяют создавать компактные драйвера для управления IGBT и Mosfet-транзисторами. При этом, малая стоимость микросхемы и хорошие технические характеристики делают это предложение одним из самых привлекательных на рынке.

IXYS расширяет линейку IGBT на 1200-4500 В

26.05.2017 | IXYS

  Компания IXYS объявила о доступности новых высоковольтных IGBT-транзисторов на напряжения от 1200 до 4500V, разработанных с использованием запатентованной технологии XPT™. Транзисторы обладают пониженным тепловым сопротивлением и высокой скоростью переключения. При закрытии транзистора ток коллектора имеет малый "хвост", что обеспечивает низкие потери энергии при переключении.

Новые SiC диоды Шоттки на 1200В от компании IXYS

15.05.2017 | IXYS

Компания IXYS представляет новые SiC диоды Шоттки на напряжение 1200В в корпусе SOT-227B (minibloc) с изолированным основанием.